在「芯片法案」已经获得通过的大背景下，佩洛西此次窜台，与台积电董事长刘德音的会面备受关注。
据报道，二人主要讨论了这一法案（又称「芯片与科学法案」）的实施。
此前，佩洛西的台积电行程并未单独出现在其官方公布的行程计划内，而是与其他台湾高官的会面计划捆绑一起的。
台积电官方拒绝对此次会面做出评论。
窜访台积电，逼它「选边站」？
美国此次通过的「芯片法案」与台积电密切相关。
目前，台积电正在美国亚利桑那州建造一座价值120亿美元的5纳米制程晶圆厂，预计于2024年投产。
不过按照台积电的技术路线图，到2024年时，5纳米已经不是最先进的技术，公司没有将最先进的芯片工厂建在海外。
按照美国的「芯片法案」，去美国本土建厂的芯片企业，都可以从520亿美元的巨额补贴中分一杯羹，虽然大概率没有英特尔拿得多，但有钱拿总是好事。
相比之下，台积电设在中国大陆地区的工厂，技术至少落后最先进技术「两代以上」。
台积电在南京建有一座12英寸晶圆代工厂，采用的是16纳米和28纳米工艺的成熟技术，在上海也有一个8英寸晶圆厂。
目前，台积电对中美两国的半导体产业而言，都有难以替代的重要作用。而台积电也一直在美国和中国之间试图取得平衡。
不过，此次通过的「芯片法案」规定，要想接受美国政府的补贴和资助，就必须承诺不在中国大陆地区增加先进芯片的产能。
看起来，对台积电来说，「选边站」似乎是免不了的事了。
台积电董事长刘德音此前在接受CNN采访时说，没有人可以用武力控制台积电，因为任何军事行动或 都会导致 「台积电工厂无法运作」 。他还说，台积电不应该仅仅因为离中国大陆近而受到「歧视」。
由此次佩洛西窜访导致的两岸紧张气氛，更是体现在了分析人士的观点中。
有「中国通信业知名观察家」头衔的微博用户@飞象网项立刚在社交媒体上表达了自己的观点。
他认为：大陆和台湾的芯片企业，主要是竞争，而且是残酷竞争，没有合作，或者说是竞争大于合作。
「台湾芯片企业在大陆是利用大陆的政策、资金、资源、人才，尤其是利用大陆的市场。」他说。
「芯片法案」下周签署
这项让佩洛西「窜访」台积电的「芯片法案」，已经在7月底凭借着众议院243-187票和参议院64-33票获得了通过。
其最终版本的资金规模高达2800亿美元，除了包含此前520亿美元对芯片企业的建厂补贴和税收优惠外，还包含投资2000亿美元加强人工智能等技术领域的研究，100亿美元建设20个技术研究中心以及其他数十亿美元的投资等等。
此外，该法案将在五年内拨款超过1700亿美元用于促进美国的科学研究。
英特尔透露，通常来说建造建造一座新的晶圆厂，成本大概需要100亿美元。而有了「芯片法案」，企业就能节省其中的30亿美元。
随后，美国白宫在8月3日的一份新闻声明中表示，拜登将于8月9日对法案进行签署。
至此，这项酝酿了两年的「芯片法案」，距离落地也只差最后的临门一脚了。
韩国巨头重新观望
在「芯片法案」的影响下，韩国的芯片制造商也开始对中国市场有所顾忌。
分析师和业内消息人士称，日益加剧的紧张局势可能让三星和SK海力士不得不重新审视在中国的投资战略。
曾任韩国贸易部长的经济官员Yeo Han-koo表示，韩国芯片制造商针对美国和中国的「战略调整」已经开始。
三星在去年就宣布正在美国德克萨斯州投资170亿美元，新建一座晶圆代工厂，以期赶上对手台积电。拜登在5月访韩期间，参观了三星的平泽工厂。
而在上个月SK集团的董事长宣布在美国投资220亿美元的半导体、电动汽车电池和绿色技术，包括新的先进芯片封装厂。
美国总统乔·拜登（右）与韩国总统尹锡烈于5月访问平泽的三星电子工厂
在中国，两家大厂也撒下不少投资。
三星在中国西安的存储芯片业务是该国最大的外国芯片项目之一，自2012年破土动工以来，该公司已累计投资约260亿美元。
根据TrendForce去年底的数据，西安工厂占三星全球NAND闪存产能的43%，占全球总产能的15%。
而SK海力士刚在去年年底完成了以90亿美元收购英特尔NAND业务的第一阶段，其中就包括位于大连的NAND制造工厂。
同时，SK海力士在无锡的DRAM内存芯片工厂，也极可能受到影响。因为由于美国的阻挠，SK海力士无法使用荷兰公司ASML制造的最新极紫外光刻 (EUV) 芯片制造机，升级其在无锡的DRAM存储芯片生产设施。
专家表示，美国的制裁将会带来巨大的代价——破坏脆弱的全球芯片供应链，毕竟三星和SK海力士控制着全球50%以上的NAND闪存芯片市场。
在全球经济放缓的情况下，消费者的需求本就十分疲软，又恰逢全球芯片供应短缺，美国导致的新一轮动荡已经开始扰乱从汽车到电子设备的市场。
现在，全球的芯片短缺本就尚未解决，任何新的动荡迹象都会点燃市场的焦虑，引发价格的飙升。
此外，制造芯片用设备在生产开始的几个月前就必须完成安装，并进行全面测试。将设备运往中国的任何延迟都将对芯片制造商构成极大的挑战。
「许多美国公司都使用三星和 SK 海力士的存储芯片。无论（三星和 SK 海力士）最终选择何种战略，都会产生全球性的影响。」BNK Securities分析师Lee表示。
存储芯片也被针对
据路透社报道，美国正在考虑禁止向中国出口用于制造先进NAND存储芯片的设备。
就在几天前，以参议院多数党领袖查克·舒默为首的多位美国参议员致信美国商务部长，要求将长江存储等中国芯片制造商加入美国贸易黑名单。
目前，长江存储及其母公司紫光集团还没有就此发表意见。
时值美国加大力度遏制中国半导体产业之际，这一消息显得尤为敏感。
与此同时，中国正在推动战略经济部门实现更大程度的自给自足，以减少对此类技术进口的依赖。
美国半导体设备供应商Lam Research和KLA Corp表示，美国正在推动对中国实施更严格的出口法规，涵盖制造14纳米及以下芯片所需的设备。
此举使得中国顶级芯片制造商——中芯国际（SMIC）进军先进芯片制造领域的脚步变得更为艰难。
中芯国际在2020年12月，被加入了美国的实体限制名单。但长江存储自2016年以来，却始终与美国保持良好关系，从未登上任何美国的贸易黑名单。
就在禁令的报道发布之际，长江存储还一直在加紧建设其在武汉的第二家制造厂。据日经亚洲报道，该公司于6月开始在新芯片厂安装设备，最早可在2023年生产196层3D NAND闪存。
不可否认的是，长江存储现在仍然严重依赖进口芯片制造设备。
中信证券首席电子分析师徐涛在最近的一份研究报告中表示，截至今年7月，长江存储只有18%的制造设备来自国内企业。
韩国产业经济与贸易研究所高级研究员金阳鹏表示：「很明显，如果没有美国的技术来源，对中国来说，半导体生产是相当困难的。」
