【51CTO.com原创稿件】在数字经济的今天，爆炸式增长的数据总量不但对存储容量提出了更高的要求，大量非结构化数据以及新技术、新应用的层出不穷，也需要更快的存储性能预以支撑。随着5G、AI、云计算、物联网等新技术的普及，全闪存存储正快速在各行各业中落地，这给诸如美光、英特尔等上游芯片厂商带来了巨大的利好。
美光执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana
作为存储芯片行业的巨头之一，美光于2020年11月正式批量出货全球首款 176 层 3D NAND 闪存，真正实现了闪存产品密度和性能上的重大提升。美光执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana的接受记者采访时表示，在半导体产业中，存储是过去二十年中增长最快的领域。美光无论是在存储技术还是产品量产方面，都走在了业界前面。他强调，美光将持续与中国大陆客户密切合作，用创新的产品和一流的技术，持续为客户提供价值，为中国企业的数字化转型赋能。
存储产业迎来高速增长期
数字化转型已经成为推动企业未来发展的重中之重。随着数据量的增长，无论是传统的数据中心，还是云数据中心和边缘数据中心，对于存储的性能和容量都提出了更高的要求，这也给存储芯片产业的发展带来了巨大的利好。
根据预测，2021年半导体产业预计将增长12%，而存储技术领域的增长将达到19%，远超过半导体产业的增长速度。
Sumit Sadana告诉记者，除了云端和智慧边缘之外，工业物联网以及智慧城市、智慧交通等的快速发展，对存储芯片的需求也会越来越高，而美光都能够这些场景应用提供最适合的产品，帮助企业解决存储挑战，获得价值。
Sumit Sadana表示， 资本市场对于2021年存储的预期是DRAM增长15%以上，NAND的增长30% 左右。美光希望能够适应市场需求，快速推出更多更好的产品。
谈到近期存储芯片的价格波动，Sumit Sadana认为NAND产品虽然会根据市场的需求出现一定的价格弹性变化，但整体供应是充足的。未来市场将会根据需求进行自行调整。他表示，2021年 NAND的产能会稳定下来，美光正在与客户更密切地合作，希望更早地了解到客户的需求，及时地供应他们所需要的产品。
技术创新帮助企业降本增效
实现存储容量与性能的平衡，3D NAND技术是业界普遍采用的技术。
当前，128层 3D NAND是市场中的主流技术，大部分量产产品都采用了这一技术。如何实现更高层的堆叠，是各大芯片厂商未来致力于研发的方向。而美光，则率先研发并量产了176 层 NAND的产品。
Sumit Sadana表示，为了确保产品能够满足行业对于数据增长的需求，美光开创性地结合了堆栈式替换栅极架构、创新的电荷捕获技术和 CMOS 阵列下 (CuA)技术。美光的 3D NAND 专家团队利用专有的 CuA 技术取得了大幅进步，该技术在芯片的逻辑器件上构建了多层堆栈，将更多内存集成封装在更紧凑的空间中，极大缩小了 176 层 NAND 的裸片尺寸，提升了单片晶圆的存储容量。除此之外，美光还将 NAND 单元技术从传统的浮动栅极过渡到电荷捕获，提高了未来 NAND 的可扩展性和性能。除了电荷捕获技术，美光还采用了替换栅极架构，利用其中的高导电性金属字线取代硅层，实现了出类拔萃的 3D NAND 性能。采用该技术后，美光将大幅度降低成本，继续领跑业界。
据介绍， 通过采用这些先进技术，美光提升了产品耐用度，这将使各种写入密集型应用特别受益，例如航空航天领域的黑匣子以及视频监控录像等。在移动设备存储中，176 层 NAND 的替换栅极架构可将混合工作负载性能提高 15%，从而支持超快速边缘计算、增强型人工智能推理以及图像显示细腻的实时多人游戏。
“美光的科技和研发团队非常了不起，因为我们做到的裸片尺寸比同类最佳竞品小 30%，同时功耗比竞争对手低，能效却比竞争对手高。”Sumit Sadana表示，美光将把握5G、人工智能、云和智能边缘领域的增长机会，并在广泛的产品组合中部署这项技术，在 NAND 应用的各个领域中实现价值。
“美光的愿景是变革信息时代，丰富生活体验。公司的宗旨是成为全球内存与存储解决方案的领导者。”采访最后， Sumit Sadana如是说。
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