说起内存参数，大家肯定多知道容量、频率，甚至是电压、颗粒来源等，但和频率一样决定了内存性能高低的时序(也常说延迟)，却往往容易被忽视。
今天，影驰就内存时序做了一个简单的科普，一起来了解下。
内存频率是一个数字，而内存时序则是一大串数字，最常用的就有4个，表述的时候中间用破折号隔开，例如16-18-18-38。
这些数字都表示延迟，也就是内存的反应时间。当内存接收到CPU发来的指令后，通常需要几个时钟周期来处理它，比如访问某一块数据，这就对应时序参数。
当然了，这个处理时间越短，内存性能越好。
内存时序4个数字对应的参数分别为CL、tRCD、tRP、tRAS，单位都是时间周期，也就是一个没有单位的纯数字。
CL(CAS Latency)：列地址访问的延迟时间，是时序中最重要的参数
tRCD(RAS to CAS Delay)：内存行地址传输到列地址的延迟时间
tRP(RAS Precharge Time)：内存行地址选通脉冲预充电时间
tRAS(RAS Active Time)：行地址激活的时间
看完感觉更懵圈了?没关系，给你举个例子。
我们可以把内存存储数据的地方想象成下面这样，每个方格都存储着不同的数据。CPU需要什么数据，就向内存发来相应的指令，比如想要的位置是C4。
内存收到CPU的指令之后，要先确定数据具体在哪一行，时序的第二个参数tRCD就代表这个时间，意思就是内存控制器接收到行的指令后，需要等待多长时间才能访问这一行。
由于每一行都有多个数据，内存并不能哪一个才是CPU需要找的，所以tRCD只是一个估值，这也就是为什么小幅改动这个数值，并不会显著改变内存的性能。
内存确定了数据所在的行之后，要想找出数据，还得确定列。时序的第一个数字也就是CL(CAS)，就表示内存确定了行数之后，还得等待多长时间，才能访问具体的列数(时间周期)。
行列必然产生交点，也就是说确定了行数和列数之后，就能准确找到目标数据，所以CL是一个准确的值，任何改动都会影响目标数据的位置，所以它在时序当中是最关键的一个参数，对内存性能的发挥着举足轻重的作用。
内存时序的第三个参数tRP，就是如果我们已经确定了一行，还要再确定另外一行所需要等待的时间(时间周期)。
第四个参数tRAS，可以简单理解成内存写入或者读取数据的一个时间，它一般接近于前三个参数的总和。
所以，在保障稳定性的前提下，内存时序越低越好，而高频率和低时序是个矛盾体，一般频率上去了，时序就得有所牺牲，要想足够低的时序，频率又很难拔高。
那么，时序对内存性能的影响到底有多大呢?
我们做了一个测试，保持内存频率不变，可以看到，内存的性能随着时序的变小而不断变强。
另外，时序改变后，内存延迟的变化比内存读写速度的变化更加明显，这也说明时序对内存的影响，更侧重在延迟方面。
现在，你懂了吗?
