有关闪存数据存储的讨论通常都是围绕NAND技术，但是还有另一种闪存–NOR，在某些情况下它是更好的选择，特别是作为嵌入式设备。
与NAND相比，NOR支持更快的随机读取操作，并且，它更可靠，功耗更低。但是，对于顺序读取以及写入和擦除操作，NOR闪存速度较慢，而且价格较高，这就是为什么它仅适用于特定用例的原因。
NOR闪存基础知识
NOR是一种非易失性存储技术，它将数据存储在存储单元中，类似于NAND存储芯片。 NOR单元类似于金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，其中电压决定导电率。 NOR单元与常规MOSFET的主要区别在于，NOR单元包含两个栅极而不是一个：浮置栅极和控制栅极。
栅极决定电荷如何存储在单元中。绝缘层将两个栅极分开，隧道氧化物层将浮动栅极与底层基板分离。隧道氧化物层足够薄，可允许电子进入和流出浮栅，从而提供了存储数据的机制。该单元的一端连接到源线或地，另一端连接到位线，用于对单元进行编程。
现在的NOR存储器有两种类型：并行和串行。并行NOR(两者中的较大者)的使用寿命更长，并且引脚数更高。它使用并行地址和数据总线(类似于静态RAM)，并且比串行NOR提供更高的系统吞吐量，从而缩短系统启动时间。
串行NOR小于并行NOR，功耗更低，通常成本更低，同时仍具有良好的性能。现在，很多串行NOR模块都使用串行外围设备接口总线，这也使得它们通常被称为SPI NOR。
NOR与NAND闪存
与NAND相比，NOR闪存可更快地执行随机读取操作，NOR也通常更可靠并且功耗更低。但是，NOR在串行读取、擦除和写入数据时速度较慢，并且生产成本比NAND高，导致每比特成本更高。NAND存储设备可以提供更高的数据存储容量，而NOR模块通常最高可提供2 Gb。
与NAND闪存不同，NOR不使用共享连接，提供直接连接到单个存储单元，并且具有足够的地址和数据线来映射整个存储区。因此，NOR可以提供更快的随机访问—到存储阵列中任何位置。对于NAND闪存，存储单元串在一起以提高密度，这导致更复杂的读取操作和更长的随机访问时间。
NAND在顺序读取数据以及编程和擦除数据方面速度更快。与NOR相比，它还可以以较小的块写入数据，并且擦除数据的机制更加有效。另外，NAND存储单元小得多，从而导致更高的密度和更低的每比特成本。但是与NOR闪存不同，NAND更容易发生位故障，这就是NAND必须结合纠错码等技术的原因。
NOR闪存用例
NAND闪存通常用于数据存储，而NOR闪存通常被部署作为嵌入式设备，用于执行代码。NOR闪存可用于工业机器人、医疗设备、科学仪器、IoT设备或便携式消费产品，例如相机、可穿戴设备或手机。NOR也可能与NAND一起用于智能手机和平板电脑等设备。
NOR设备也可以嵌入到网络组件中，例如路由器、交换机或网关。汽车行业对NOR嵌入式设备非常感兴趣，不仅是因为它们的可靠性，还因为NOR可以承受更大的温度范围，使其适合用于引擎盖下和仪表板上的组件。例如，NOR适用于触摸屏、信息娱乐组件或高级驾驶员辅助系统。
作为嵌入式设备，NOR可用作任何只读应用程序的代码存储，这些应用程序需要快速随机访问和高可靠性，例如引导、操作系统或芯片内执行代码。NOR提供了快速的初始化时间，这很适合需要快速而可靠的启动过程的系统。此外，存储在NOR存储器芯片的程序可以直接执行，而无需复制到RAM，这对于NAND来说是非常困难的操作。
现在的NOR闪存市场
目前多家供应商都提供NOR闪存模块，包括Cypress Semiconductor公司、Macronix国际有限公司、Micron Technology公司和Winbond Electronics公司。例如，Cypress提供256 Mb串行NOR闪存模块，用于汽车行业，其温度范围为-40 C至105C。该设备是基于Quad SPI接口，运行电压为3伏。它的价格在4.12美元至7.08美元之间，具体取决于所购买单位的数量。
虽然我们很难预测NOR的未来，但该闪存技术被证明是嵌入内存到系统的优秀选择之一，例如消费类移动产品、汽车零部件、IoT设备和其他系统等。快速的随机访问读取和长期的可靠性使其适用于很多用例，特别是随着移动性和物联网的不断扩展。大多数消费者可能不知道NOR的存在，至少在表面上是这样，但是在未来NOR可能会发挥至关重要的作用。
