淘汰NAND闪存?英特尔MRAM已准备投产

存储
英特尔工程师LigiongWei称,MRAM在其目前的生产特点下,能够在200°C下高温下保存10年的数据,并能承受超过10^6个切换周期。而且除了高耐久性外,22纳米嵌入式的MRAM技术的比特率超过了99.9%,这种相对保密的技术来说相当可怕。

   说到MRAM大家可能不太熟悉,这是一种非易失性(Non-Volatile)的磁性随机存储器,与NAND闪存相比,MRAM能够达到1ns的稳定时间,并且高于目前公认的DRAM理论限制,拥有更高的写入速度,可怕的是MRAM还拥有接近***次写入的性质。

  据外媒报道,英特尔的MRAM已准备好在大批量生产中投入生产了,采用的是22纳米工艺。

  据悉,英特尔工程师LigiongWei称,MRAM在其目前的生产特点下,能够在200°C下高温下保存10年的数据,并能承受超过10^6个切换周期。而且除了高耐久性外,22纳米嵌入式的MRAM技术的比特率超过了99.9%,这种相对保密的技术来说相当可怕。

  点评:MRAM作为DRAM和NAND闪存的有力替代者,目前还略显青涩,在商用市场上没个一两年很难见到,但可以预料的是这个技术相当厉害,也许具有打造新型计算机和设备的潜力(整合内存和硬盘?)。

责任编辑:张诚 来源: 中关村在线
相关推荐

2009-07-28 17:26:16

英特尔SSDNAND

2023-11-20 13:06:52

2010-10-27 14:50:34

英特尔大连芯片工厂

2013-08-06 09:33:28

英特尔数据中心淘汰

2009-05-27 09:54:29

Intel八核服务器

2013-02-28 09:31:30

英特尔22nmAtom

2010-02-04 16:47:04

存储英特尔美光

2014-04-03 14:23:02

英特尔统一固件管理套件

2011-10-11 16:45:58

数据中心固态硬盘英特尔

2016-08-31 09:51:17

Intel

2010-07-22 16:33:37

英特尔HPC

2011-12-14 19:01:20

英特尔

2011-02-17 11:05:59

英特尔问题芯片

2012-06-18 17:42:42

英特尔ARM

2018-06-12 08:13:05

QLC存储MLC

2009-03-30 13:43:47

多核服务器英特尔

2019-05-15 14:16:03

英特尔ZombieLoad漏洞

2015-05-05 15:22:30

英特尔

2020-10-30 18:28:45

英特尔
点赞
收藏

51CTO技术栈公众号