静态随机存取存储器(Static Random-Access Memory，SRAM)和动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是不同类型的RAM，具有不同水平的性能和价格，都在当今的SSD技术中发挥着关键作用。
简单来说——
SRAM： 是一种比DRAM更快，耗电更少的存储芯片。
DRAM： 是一种可以容纳比SRAM芯片更多数据的存储芯片，但它功率更大。
首先介绍一些背景。随机存取存储器(RAM)是与CPU直接交换数据的内部存储器，放置在处理器上，为CPU运算存储变量。RAM为请求数据(寄存器)提供存储器位置，CPU接收带有数据存储器地址或位置的数据读取指令，将地址发送到RAM控制器。反过来，控制器将地址发送到正确的路径，打开路径晶体管并读取每个电容器值。读取的数据将传输回CPU的缓存。
此读/写操作的速度称为时序，更快的时序和更短的延迟会提供更快的访问时间和低延迟。较慢的时序会带来较低的性能和较高的延迟。带宽也会影响性能：带宽越大，RAM每秒处理的数据越多，时序越快。
RAM结构：SRAM和DRAM
SRAM和DRAM以不同的方式处理数据，具体取决于数据的要求。
有许多下一代内存组件构建在这两种技术之上，但在深入研究这些新技术之前，了解SRAM和DRAM的基础知识非常重要。
- 什么是SRAM?每个SRAM单元使用六晶体管电路(six-transistor circuit)和锁存器(latch)存储一个bit。(DRAM使用晶体管和电容器。)SRAM是易失性的，但如果系统通电，SRAM会保留存储的数据而无需重复充电。它对电噪声相当不敏感——电噪声是会对所需信号产生干扰的，不需要的电信号。由于它比DRAM更快且成本更高，因此通常作为CPU内存缓存或用于高端、高性能服务器运行。SRAM系统内存通常为20-40ns(纳秒)。
- 什么是DRAM?每个DRAM单元使用一个晶体管另加一个电容器来存储一个bit，因此DRAM具有非常高的密度。像SRAM一样，DRAM也是易失性的。但与SRAM不同，DRAM每个单元必须周期性地进行刷新(预充电)，因为电容器不可避免地存在漏电现象。它对电噪声很敏感。DRAM速度通常在60ns到100ns之间——仍然很快，但比SRAM慢。一般速度为20-40GB / s，连续的单元充电，使DRAM比SRAM具有更高的时延和带宽延迟。
随着计算速度的加快，全闪存数据中心逐渐占据主导地位，设计速度更快的RAM，将成为一个持续性的行业需求。这可能会影响这两种RAM类型。SSD创新的快速发展需要不断升级RAM性能。
计算机中的SRAM与DRAM
SRAM和DRAM演进
计算机的发展影响了计算机内存，让我们来看看一些关于SRAM和DRAM的主要进展。
SDRAM——同步DRAM(SDRAM)是一种与CPU的时钟周期同步的DRAM，因此存储器的控制器确切地知道所请求的数据何时可以访问。这减少了访问时间并提高了内存性能。
DDR——双倍数据速率SDRAM(DDR SDRAM，大家习惯称DDR)是最新一代SDRAM。DDR提高了速度，降低了功耗，引入了刷新机制，并增加了CRC等安全功能。例如，DDR3传输IO数据的速度比其自身单元的速度快8倍，从而实现更高的吞吐量和更快的速度。(但它并没有降低时延)单芯片容量可以达到8GB，在实际应用中可有效翻倍至16GB。
SGRAM——同步图形RAM(Synchronous Graphics Random-Access Memory)是一个同步时钟的DRAM。SGRAM可以同时打开两个内存页面，以较低的成本模拟双端口。
VRAM——即Video RAM，是一种用于存储计算机图像数据的DRAM。VRAM充当用户显示监视器和处理器之间的帧缓冲器。处理器最初从主存储RAM读取视频数据并将其写入视频RAM格式。帧缓冲器将数字视频数据转换为模拟信号并发送到显示器。旧的VRAM是双端口的，这意味着当CPU处理器将一个新的帧写入视频RAM时，监视器将从视频中读取并更新其显示。
MDRAM——多BANK动态随机存取存储器(Multibank Dynamic RAM)，是一种高性能VRAM。传统的VRAM通过呈现整个帧缓冲区以进行数据访问，而MDRAM将内存划分为32KB的BANK以进行并发访问。
EDRAM——增强型DRAM，将SRAM和DRAM结合起来，为2级缓存提供服务。通常是256字节的SRAM与DRAM配对。数据读取操作首先检查SRAM以获取所请求的数据，如果数据未存储在SRAM中，再检查DRAM。
WRAM——Window RAM(与Microsoft Windows无关)是一种高性能的双端口VRAM。它的架构比传统的VRAM产生大约25%的带宽，成本更低。它通过高性能数据读取实现此功能，用于文本绘制和块填充等操作。它采用真彩色(24位色)，非常适合高分辨率图形显示器。
EDO DRAM——扩展数据输出DRAM(EDO DRAM)，预先读取下一块存储器，同时将前一块发送到CPU，这使它的速度比标准DRAM快25%。
RAM研究与开发
市场上还有许多其他不同版本的SRAM和DRAM，以及可能取代它们的颠覆性内存技术。这种情况还没有大规模发生，但有一些公司已经开始将资源投入计算机内存研发。
例如，相变随机存储器(PCRAM)是一个有趣的尝试，试图取代DRAM。PCRAM听起来像是科幻小说里的元素。它可以在两种状态之间切换，一种是低导电性的原子结构，另一种是高导电性的结晶态。根据它们当前所处的状态记录0和1，借此，处理器可以写入和重写数据。
在早期的实验中，当受到强电流时，这些元素被证明是不可靠的。此前，中国科学院上海研究院的研究人员报告称，他们将PCRAM性能提高了10倍，将其设计为非易失性的，并提高了可靠性。
这一进展的关键，是由镁和钪组成的形状记忆合金(SMA)。尽管取得了如此大的进展，但PCRAM还不能与DRAM的多次写入和重写数据记录相匹配。(这里的“多次”，一般指“数万亿次”。)截至目前，SRAM和DRAM在CPU内存领域仍然处于“霸主”地位。
