美光DRAM/NAND路线图:96层3D闪存下半年出货,GDDR6在路上

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美光强劲营收的背后是存储芯片价格、产能大涨,64层3D NAND闪存已经大量出货,下半年还将推出96层堆栈的3D闪存,内存方面1Xnm工艺将在下半年成为主力,1Ynm年内出货,GDDR6显存也完成了验证。

   美光公司昨天发布了2018财年Q3季度财报,营收、净利润分别大涨40%、132%,创造了美光季度营收新高,可以说数钱数到手抽筋了。美光强劲营收的背后是存储芯片价格、产能大涨,64层3D NAND闪存已经大量出货,下半年还将推出96层堆栈的3D闪存,内存方面1Xnm工艺将在下半年成为主力,1Ynm年内出货,GDDR6显存也完成了验证。

  2018年虽然NAND闪存价格在下跌,不过出货量在增加,而且NAND只占美光营收的25%,大头的还是DRAM内存,占据71%的营收,更重要的是内存价格还在稳定上涨,之前的业界消息称直到2020年内存行业的价格都会比较健康,不会像NAND闪存那样大跌的。

  根据美光的财报信息,受益于eMMC、eMCP市场,美光高价值移动NAND闪存营收环比几乎翻倍,其中85%都是TLC闪存类型,去年同期比例不足1%。此外,来自数据中心市场的内存、闪存营收同比增长了87%。

  嵌入式市场上,美光已经完成了基于64层3D NAND闪存的microSD卡验证,设计完成了低功耗汽车电子DRAM内存,完成了1Xnm以及GDDR6显存的验证。

  SSD方面,美光已经开始出货64层堆栈的企业级SATA硬盘,并出货了世界首款QLC闪存的SSD硬盘,核心容量1Tb,堆栈层数64层。

  在技术研发方面,美光的96层3D NAND闪存预计在今年下半年出样,UAA架构的第四代NAND闪存也在开发中。

  内存方面,1Xnm工艺的内存颗粒在上半年跨越了产能交叉点,也就是说成为主力,而1Ynm工艺的DRAM内存颗粒预计会在下半年出样,再下一代的1Znm内存芯片已经在开发中。

责任编辑:张诚 来源: 超能网
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