DDR4内存在2014年推出时，其性能是DDR3内存的1.5倍，而内存接口的功耗却令人印象深刻，与DDR3内存相比，降低了25%的功耗。此外，DDR4支持每个模块的***容量为512 GB，并且具有比其DDR3内存更多的存储空间，以及更快的循环和增加的引脚数(284)，以支持更高的寻址能力。
根据IC Insights的说法，DDR4内存标准包括一些功能，可以加快内存操作，并增加服务器，笔记本和台式机，平板电脑以及各种消费电子产品的SDRAM存储。更具体地说，DDR4支持多达8个器件的堆叠存储器芯片，向存储器控制器提供单个信号负载。事实上，与DDR3内存相比，DDR4内存提供了双模块密度和双倍速度的潜力，同时降低了功耗，并延长了未来64位平板电脑和智能手机的电池寿命。 DDR4内存预计今年将成为DRAM的主导产品，其市场份额将达到58%，而DDR3内存的市场份额为39%。
变得更好
虽然DDR4的时钟频率为1.6Gbps至3.2Gbps，但标准化机构固态技术协会(JEDEC)最近公布的下一代DRAM-DDR5内存将实现双倍的带宽，从而实现3.2Gbps至6.4Gbps的时钟频率，以满足数据中心在物联网的时代(IoT)不断增长的带宽需求。事实上，普遍连接的新时代已经产生了数字海啸般的数据，这正在推动DDR4内存突破容量和内存带宽的限制。
虽然DDR5标准制定的工作仍在进行中，但早期公开发布的信息显示出了许多进化的改进。这些包括更高的密度，新的命令结构和新的省电功能。 DDR5内存还可能引入信号均衡和纠错功能。
引入高带宽内存(HBM)是提高服务器内存性能的另一种方法。本质上，高带宽内存(HBM)通过将低延迟DRAM内存放置在更加靠近CPU的位置来支持本地可用内存。
此外，高带宽内存(HBM)通过为1024位的SoC提供非常宽的接口来增加存储器带宽。这意味着HBM2的***速度为2Gbps，总带宽为256GB / s。虽然其比特率与2.1Gbps的DDR3内存类似，但8位128位通道为HBM提供了大约15倍的带宽。此外，与现有架构相比，四个HBM存储器堆栈邻近CPU，每个具有256GB /s(例如)的存储速率，显著地提高了存储器密度和带宽。
除了DDR5内存和高带宽内存(HBM)之外，正在部署混合DIMM技术，如NVDIMM(非易失性DIMM)，以满足不断增长的内存容量和带宽需求。据JEDEC称，NVDIMM-P将为计算机系统的新型高容量持久存储器模块提供针对成本，功耗和性能优化的新内存解决方案。事实上，DIMM的持久内存使用支持超大规模，高性能和高容量数据中心的多种用例。这些应用包括减少延迟，降低功耗，元数据存储，内存数据库，软件定义的服务器RAID以及意外故障期间的处理负载减少。
应该注意的是，NVDIMM-P可以在DIMM上实现完全可访问的闪存，从而允许系统利用非易失性存储器作为附加的高速存储器。同时，NVDIMM-N旨在使闪存作为DRAM的持久存储器备份。实际上，这意味着DRAM数据本地存储在闪存上，从而在减少CPU负载的同时，并产生持久性(在停电的情况下)。
总而言之，日益相连的世界激励了行业巨头在数据中心实施和创新新架构，以消除各种瓶颈。这其中包括DDR4内存和DDR5缓冲芯片，第二代高带宽内存(HBM2)和混合DIMM技术，如NVDIMM-P和NVDIMM-N。相信存储行业厂商需要共同开发下一代存储解决方案，同时坚持以最小的变化加快当前研发速度。
