【51CTO.com原创稿件】3D NAND凭着诸多的优势，成为兵家必争之地。有消息称，台积电正在打算通过投资东芝闪存业务进军3D NAND领域，并且已经确定台积电是东芝优先选择的几个竞争者之一，因为它符合诸多条件，比如并未涉足NAND闪存芯片制造，而且不需要政府基金来进行风险投资。此外，台积电也不可能窃取东芝的专利内存技术和知识产权，或者霸占新公司的所有权和管理权。
消息称，台积电还希望成功劝说东芝在台湾建立3D NAND闪存工厂，为其提供包括降低当地生产成本等支持。
有报道称，台积电可以成为东芝***的生产合作伙伴，因为台积电可以帮助东芝扩展其在3D NAND闪存领域的业务。台积电和东芝的合作还可以挑战行业的长期领先者三星，三星通常会通过闪存业务产生足够多的利润来补贴逻辑IC部门。
自东芝确认在今年4月1日将闪存业务部门剥离并成立一个单独的公司后，竞购东芝闪存业务的公司不在少数。近日，富士康科技集团董事长郭台铭称，该公司正在竞购东芝公司的闪存子公司，因为两家公司的业务能很好的匹配，并表示“不能说我们志在必得，但我们很有信心，我们也很有诚意”。
除了台积电和富士康的动作外，包括苹果、美光、微软、海力士和西部数据以及多家资本基金都加入了竞争行列。东芝闪存业务将会花落谁家?相信4月1日后，答案即能揭晓。
延伸阅读：什么是3D NAND?有哪些优势?
在3D NAND之前，我们见到的多属于Planar NAND平面闪存，也叫有2D NAND。3D 闪存，顾名思义就是它是立体堆叠的，Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高楼大厦，建筑面积一下子就多起来了，理论上可以无线堆叠。当然，3D NAND闪存也不再是简单的平面内存堆栈，这只是其中的一种，还有VC垂直通道、VG垂直栅极等两种结构。
相较平面NAND，3D NAND有着非常明显的优势。大家知道，NAND闪存有SLC、MLC和TLC类型之分，为了进一步提高容量、降低成本，NAND的制程工艺也在不断进步，从早期的50nm一路狂奔到目前的15/16nm，但NAND闪存跟处理器不一样，先进工艺虽然带来了更大的容量，但NAND闪存的制程工艺是双刃剑，容量提升、成本降低的同时可靠性及性能都在下降，因为工艺越先进，NAND的氧化层越薄，可靠性也越差，厂商就需要采取额外的手段来弥补，但这又会提高成本，以致于达到某个点之后制程工艺已经无法带来优势了。
相比之下，3D NAND解决问题的思路就不一样了，为了提高NAND的容量、降低成本，厂商不需要费劲心思去提高制程工艺了，转而堆叠更多的层数就可以了，这样一来3D NAND闪存的容量、性能、可靠性都有了保证了，比如东芝的15nm NAND容量密度为1.28Gb/mm2，而三星32层堆栈的3D NAND可以轻松达到1.87Gb/mm2，48层堆栈的则可以达到2.8Gb/mm2。
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