NAND Flash的普及给发展缓慢的存储市场注入了新的动力，虽然相比较机械硬盘(HDD)的价格仍然较高，但凭借着出色的性能表现，全闪存阵列已经稳稳的占据了存储高端市场。目前，很多公司的关键性业务上均采用了高端的全闪存存储。
NAND Flash开创了固态硬盘(SSD)时代
虽然，NAND Flash开创了固态硬盘(SSD)时代，优势已经得到了认可。但是，随着新技术的发展，仅仅只是开始的NAND Flash，或将面临着被淘汰的命运。
首先，由美光(Micro)和英特尔(Intel)合作开发的3D XPoint技术已经正式对外公布，3D XPoint开发人员表示，新储存装置的速度和耐用度可达到NAND Flash的1,000倍。英特尔与美光在不久之前宣布设立新的品牌来推广3D XPoint技术。intel宣布设立基于3D-Xpoint技术的固态硬盘新品牌命名为Optane ，美光科技也推出新的固态硬盘品牌，命名为QuantX。
3D XPoint是一种新的非易失性存储技术
3D XPoint是一种新的非易失性存储技术，也就是能像NAND闪存那样断电保持数据，但同时又有着极高的速度和性能，能够达到DRAM内存级别，因此它既能做成硬盘，也能做成内存，而且单位容量成本介于二者之间，堪称梦幻黑科技。
其次，IBM根据相变化存储器(Phase Change Memory)修正后开发的新型态储存装置，这项技术还可通过减少在迭代之间读取数据时导致的延迟开销，大大提高采用大型数据集的机器学习算法的速度。IBM则表示其开发的PCM在读取和写入速度方面比NAND Flash快上数百倍，预计可进行1,000万次读取循。
相变化存储器(Phase Change Memory)与DRAM不同，在断电时不会丢失数据，并且这种技术可实现至少1000万次重复擦写次数，而普通的USB闪存记忆棒(U盘)最多只能重复擦写3000次。另外，相变化存储器(Phase Change Memory)存储器可以独立使用，或者用作混合应用设备的一部分，此类混合应用设备整合了相变化存储器(Phase Change Memory)和闪存，以相变化存储器(Phase Change Memory)作为速度极快的高速缓冲存储器(Cache)。在消费领域，手机的操作系统可储存在相变化存储器(Phase Change Memory)中，使手机可在几秒钟内开机。在企业领域，整个数据库都可储存在PCM中，可为时间要求苛刻的在线应用(例如金融交易)提供超快的查询处理。
无论从哪一种技术来看，NAND Flash已经看起来是一种老旧的技术，虽然NAND Flash还并未普及。
当然，这些新技术从开发到应用，还需要一段时间。另外，新技术上市之前，价格往往都非常昂贵。不过，从成本上来看，NAND Flash与这些新技术相比并没有任何的优势，所以淘汰只是时间的问题。
