东芝公司日前宣布开发出了在非易失性RAM产品中，拥有“全球***容量”128Mbit，“全球***速度”1.6GB/s的FeRAM存储芯片产品。
FeRAM（Ferroelectric Random Access Memory铁电RAM）是被业界给予厚望的下一代非易失性RAM技术之一,它以铁电物质为原材料,将微小的铁电晶体集成进电容内,通过施加电场,铁电晶体的电极在两个稳定态之间转换,实现数据的写入与读取。它拥有非易失性，数据存储时间长，读写速度快，工作电压低等诸多优势，从上世纪九十年代就开始投入商业制造，但由于容量方面和动辄以GB计的闪存无法相比，迟迟无法得到广泛应用。
东芝此次利用自有技术，解决了存储单元小型化后随之而来的信号衰减问题，实现了目前业界非易失性RAM的***容量128Mbit。同时改善内部电源供应，更好的利用FeRAM的低功率高速度特性，实现了比当前非易失性RAM极限速度提高8倍的1.6GB/s。
东芝宣布的该款产品仅采用了130nm CMOS工艺制造，存储单元面积为0.252平方微米，工作电压1.8V。由于它使用了DDR2接口，因此可以和现有存储系统兼容，未来将面向手机内存、移动PC、固态硬盘等应用领域。东芝表示，将在本周召开的ISSCC国际电路会议上公布该产品的更多细节。
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